VTI634. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VTI634

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для VTI634

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VTI634 даташит

 ..1. Size:200K  foshan
vti634.pdfpdf_icon

VTI634

VTI634(CS634) N-Channel MOSFET/N MOS ,DC-DC Purpose SMPS DC-DC converters. RDS(on) 0.38 , Features Typical RDS(on)=0.38 ,low intrinsic capacitance C , fast switching. iss /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 250 V D

 0.1. Size:1055K  blue-rocket-elect
vti634f.pdfpdf_icon

VTI634

VTI634F(BRCS634F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on) 0.38 , Typical RDS(on)=0.38 ,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications ,DC-DC SMPS D

 9.1. Size:770K  blue-rocket-elect
vti630f.pdfpdf_icon

VTI634

VTI630F(BRCS630F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on) 0.3 , Typical RDS(on)=0.3 ,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications , ,DC-DC

 9.2. Size:1103K  blue-rocket-elect
vti630.pdfpdf_icon

VTI634

VTI630(BRCS630R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features RDS(on) 0.3 , Typical RDS(on)=0.3 ,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications , ,DC-DC

Другие IGBT... HUFA76633S3S, HUFA76633S3ST, HUFA76639P3, HUFA76639S3S, HUFA76639S3ST, HUFA76645P3, HUFA76645S3S, HUFA76645S3ST, STP65NF06, WFD1N60, WFD20N06, WFD2N60, WFD2N60B, WFD4N60, WFD4N60B, WFD5N50, WFD5N60B