IXTU01N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTU01N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 8 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 50 Ohm
Тип корпуса: TO251AA
IXTU01N80 Datasheet (PDF)
ixtu01n80 ixty01n80.pdf
IXTU 01N80VDSS = 800 VHigh Voltage MOSFETIXTY 01N80ID25 = 100mAN-Channel, Enhancement ModeRDS(on) = 50 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-251 AA (IXTU)01N100VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VGVGS Continuous 20 VDD (TAB)SVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C; TJ = 25C to 150C 100 mAID
ixtp01n100d ixtu01n100d ixty01n100d.pdf
IXTP 01N100DVDSS = 1000 VHigh Voltage MOSFETIXTU 01N100DID25 = 100 mAN-Channel, Depletion ModeIXTY 01N100DRDS(on) = 110 Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVDGX TJ = 25C to 150C 1000 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDSIDSS TC = 25C; TJ = 25C to
ixtu01n100 ixty01n100.pdf
IXTU 01N100VDSS = 1000 VHigh Voltage MOSFETIXTY 01N100ID25 = 100mAN-Channel, Enhancement ModeRDS(on) = 80 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-251 AA (IXTU)01N100VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VGVGS Continuous 20 VDD (TAB)SVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C; TJ = 25C to 150C 100 mAIDM
ixtp02n50d ixtu02n50d ixty02n50d.pdf
IXTP 02N50DVDSS = 500 VHigh Voltage MOSFETIXTU 02N50DID25 = 200 mAN-Channel, Depletion ModeIXTY 02N50DRDS(on) = 30 Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 500 VVDGX TJ = 25C to 150C 500 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VGDSIDSS TC = 25C; TJ = 25C to 150C
Другие MOSFET... IXTP30N08MB , IXTP30N10MA , IXTP30N10MB , IXTP8N45MA , IXTP8N45MB , IXTP8N50MA , IXTP8N50MB , IXTU01N100 , IRF730 , IXTZ20N60MA , IXTZ20N60MB , IXTZ24N50MA , IXTZ24N50MB , IXTZ27N40MA , IXTZ27N40MB , IXTZ35N25MA , IXTZ35N25MB .
