PJA3415. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJA3415

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PJA3415

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJA3415 даташит

 ..1. Size:218K  panjit
 pja3415.pdf pdf_icon

PJA3415

PPJA3415 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -4.0A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4.0A

 0.1. Size:394K  panjit
 pja3415ae.pdf pdf_icon

PJA3415

PPJA3415AE 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -4.3A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4.3A

 8.1. Size:206K  panjit
 pja3413.pdf pdf_icon

PJA3415

PPJA3413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -3.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.4A

 8.2. Size:206K  panjit
 pja3412.pdf pdf_icon

PJA3415

PPJA3412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) 20 V 4.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@4.1A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PJA3405, PJA3406, PJA3407, PJA3409, PJA3411, PJA3412, PJA3413, PJA3414, IRFB4227, PJA3416, PJA3430, PJA3431, PJA3432, PJA3433, PJA3434, PJA45N02, PJA55P03