PJA55P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJA55P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PJA55P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJA55P03 даташит

 ..1. Size:266K  panjit
 pja55p03.pdf pdf_icon

PJA55P03

PJA55P03 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 30 Volts 4.3 Amperes VOLTAGE CURRENT FEATURES RDS(ON), VGS@-10V,ID@-4.3A

Другие IGBT... PJA3415, PJA3416, PJA3430, PJA3431, PJA3432, PJA3433, PJA3434, PJA45N02, 7N65, PJA63P02, PJA65P03, PJA87P03, PJA94N03, PJC138K, PJC7400, PJC7401, PJC7403