PJA63P02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJA63P02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PJA63P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJA63P02 даташит

 ..1. Size:298K  panjit
 pja63p02.pdf pdf_icon

PJA63P02

PJA63P02 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 20 Volt CURRENT 2.9 Ampere VOLTAGE FEATURES RDS(ON), VGS@-1.8V,ID@-2.3A

Другие IGBT... PJA3416, PJA3430, PJA3431, PJA3432, PJA3433, PJA3434, PJA45N02, PJA55P03, IRFP250N, PJA65P03, PJA87P03, PJA94N03, PJC138K, PJC7400, PJC7401, PJC7403, PJC7404