PJA65P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJA65P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PJA65P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJA65P03 даташит

 ..1. Size:316K  panjit
 pja65p03.pdf pdf_icon

PJA65P03

PJA65P03 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4 Amperes FEATURES RDS(ON), VGS@-2.5V,ID@-1A

Другие IGBT... PJA3430, PJA3431, PJA3432, PJA3433, PJA3434, PJA45N02, PJA55P03, PJA63P02, IRF630, PJA87P03, PJA94N03, PJC138K, PJC7400, PJC7401, PJC7403, PJC7404, PJC7406