PJS6407. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJS6407

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6L

Аналог (замена) для PJS6407

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJS6407 даташит

 ..1. Size:256K  panjit
 pjs6407.pdf pdf_icon

PJS6407

PPJS6407 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -4.9A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.9A

 8.1. Size:287K  panjit
 pjs6400.pdf pdf_icon

PJS6407

PPJS6400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage 30 V Current 6.4A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@6.4A

 8.2. Size:489K  panjit
 pjs6403.pdf pdf_icon

PJS6407

PPJS6403 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -6.4A Features RDS(ON), VGS@-10V, ID@-4A

 8.3. Size:268K  panjit
 pjs6401.pdf pdf_icon

PJS6407

PPJS6401 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -4.6A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.6A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PJE8406, PJL9801, PJQ2888, PJS50N03, PJS6400, PJS6401, PJS6404, PJS6405, NCEP15T14, PJS6413, PJS6414, PJS6415, PJS6416, PJS6417, PJS6600, PJS6800, PJS6801