PJW1NA50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJW1NA50

Маркировка: 1NA50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.2 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для PJW1NA50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJW1NA50 даташит

 ..1. Size:424K  panjit
 pjd1na50 pjn1na50 pju1na50 pjw1na50.pdf pdf_icon

PJW1NA50

PPJN1NA50 / PJW1NA50 / PJU1NA50 / PJD1NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.1. Size:364K  panjit
 pjd1na80 pjp1na80 pju1na80 pjw1na80.pdf pdf_icon

PJW1NA50

PPJW1NA80 / PJU1NA80 / PJD1NA80 / PJP1NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.2. Size:411K  panjit
 pjd1na60 pjn1na60 pju1na60 pjw1na60.pdf pdf_icon

PJW1NA50

PPJN1NA60 / PJW1NA60 / PJU1NA60 / PJD1NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.3. Size:412K  panjit
 pjd1na60a pjn1na60a pju1na60a pjw1na60a.pdf pdf_icon

PJW1NA50

PPJN1NA60A / PJW1NA60A / PJU1NA60A / PJD1NA60A 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PJS6832, PJS6833, PJT138K, PJT7408, PJT7600, PJT7800, PJT7801, PJT7802, 8N60, PJW1NA60, PJW1NA60A, PJW1NA80, PJX138K, PJX8802, PJX8803, PJX8804, PJX8805