Справочник MOSFET. PJX8805

 

PJX8805 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJX8805
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563
 

 Аналог (замена) для PJX8805

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJX8805 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  panjit
 pjx8805.pdf pdf_icon

PJX8805

PPJX8805 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)Voltage -30 V Current -0.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.5A

 8.1. Size:267K  panjit
 pjx8802.pdf pdf_icon

PJX8805

PPJX8802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

 8.2. Size:263K  panjit
 pjx8803.pdf pdf_icon

PJX8805

PPJX8803 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)Voltage -20 V Current -0.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.6A

 8.3. Size:208K  panjit
 pjx8804.pdf pdf_icon

PJX8805

PPJX8804 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)30 V 0.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.6A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PJW1NA50 , PJW1NA60 , PJW1NA60A , PJW1NA80 , PJX138K , PJX8802 , PJX8803 , PJX8804 , RU7088R , PJX8806 , PJZ6NA90 , PJZ9NA90 , PMBFJ174 , PMBFJ175 , PMBFJ176 , PMBFJ177 , PMBFJ620 .

History: PJU8NA50 | AOSS21329 | MCP87030 | MCT04N15 | IRF1405ZL-7PPBF | AOT29S50L | INJ0212AP1

 

 
Back to Top

 


 
.