PJZ9NA90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJZ9NA90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3PL

Аналог (замена) для PJZ9NA90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJZ9NA90 даташит

 ..1. Size:340K  panjit
 pjf9na90 pjp9na90 pjz9na90.pdf pdf_icon

PJZ9NA90

PPJP9NA90 / PJF9NA90 / PJZ9NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 9 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@4.5A

Другие IGBT... PJW1NA80, PJX138K, PJX8802, PJX8803, PJX8804, PJX8805, PJX8806, PJZ6NA90, IRLB3034, PMBFJ174, PMBFJ175, PMBFJ176, PMBFJ177, PMBFJ620, PMC85XP, PMCM4401VNE, PMCM4401VPE