WFP18N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP18N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP18N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP18N50 даташит

 ..1. Size:610K  winsemi
 wfp18n50.pdf pdf_icon

WFP18N50

WFP18N50 WFP18N50 WFP18N50 WFP18N50 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 18A,500V,R (Max0.27 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced

 8.1. Size:556K  winsemi
 wfp18n20.pdf pdf_icon

WFP18N50

WFP18N20 WFP18N20 WFP18N20 WFP18N20 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 18A,200V,R (Max 0.18 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 40nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produce

Другие IGBT... WFN1N60N, WFP10N60, WFP10N65, WFP12N60, WFP12N65, WFP12N65S, WFP13N50, WFP18N20, 2N7002, WFP2N60, WFP2N60B, WFP3205, WFP3205T, WFP4N60, WFP50N06, WFP50N06C, WFP5N50