Справочник MOSFET. WFP18N50

 

WFP18N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP18N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP18N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP18N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:610K  winsemi
 wfp18n50.pdf pdf_icon

WFP18N50

WFP18N50WFP18N50WFP18N50WFP18N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,500V,R (Max0.27)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced

 8.1. Size:556K  winsemi
 wfp18n20.pdf pdf_icon

WFP18N50

WFP18N20WFP18N20WFP18N20WFP18N20Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,200V,R (Max 0.18)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 40nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produce

Другие MOSFET... WFN1N60N , WFP10N60 , WFP10N65 , WFP12N60 , WFP12N65 , WFP12N65S , WFP13N50 , WFP18N20 , K4145 , WFP2N60 , WFP2N60B , WFP3205 , WFP3205T , WFP4N60 , WFP50N06 , WFP50N06C , WFP5N50 .

History: HY1904C2 | AON6596

 

 
Back to Top

 


 
.