WFP3205 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WFP3205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 133 nC
trⓘ - Время нарастания: 101 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 781 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO-220
WFP3205 Datasheet (PDF)
wfp3205.pdf
WFP3205WFP3205WFP3205WFP3205Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 110A,50V, R (Max 8m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical133nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi
wfp3205t.pdf
WFP3205TWFP3205TWFP3205TWFP3205TSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 109A,60V, R (Max 8m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100