WFP3205 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WFP3205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 781 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для WFP3205
WFP3205 Datasheet (PDF)
wfp3205.pdf

WFP3205WFP3205WFP3205WFP3205Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 110A,50V, R (Max 8m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical133nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi
wfp3205t.pdf

WFP3205TWFP3205TWFP3205TWFP3205TSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 109A,60V, R (Max 8m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced
Другие MOSFET... WFP12N60 , WFP12N65 , WFP12N65S , WFP13N50 , WFP18N20 , WFP18N50 , WFP2N60 , WFP2N60B , IRLB4132 , WFP3205T , WFP4N60 , WFP50N06 , WFP50N06C , WFP5N50 , WFP5N60 , WFP5N60B , WFP5N80 .
History: KI2301DS
History: KI2301DS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389