WFP3205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WFP3205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 781 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для WFP3205
WFP3205 Datasheet (PDF)
wfp3205.pdf

WFP3205WFP3205WFP3205WFP3205Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 110A,50V, R (Max 8m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical133nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi
wfp3205t.pdf

WFP3205TWFP3205TWFP3205TWFP3205TSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 109A,60V, R (Max 8m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced
Другие MOSFET... WFP12N60 , WFP12N65 , WFP12N65S , WFP13N50 , WFP18N20 , WFP18N50 , WFP2N60 , WFP2N60B , 5N60 , WFP3205T , WFP4N60 , WFP50N06 , WFP50N06C , WFP5N50 , WFP5N60 , WFP5N60B , WFP5N80 .
History: RFG70N06 | CTZ2302A | VBE1615 | MPSW65M045B | AP02N40K-HF | SVF9N90F
History: RFG70N06 | CTZ2302A | VBE1615 | MPSW65M045B | AP02N40K-HF | SVF9N90F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389