Справочник MOSFET. WFP3205T

 

WFP3205T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP3205T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 109 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP3205T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP3205T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1079K  winsemi
 wfp3205t.pdf pdf_icon

WFP3205T

WFP3205TWFP3205TWFP3205TWFP3205TSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 109A,60V, R (Max 8m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced

 7.1. Size:878K  winsemi
 wfp3205.pdf pdf_icon

WFP3205T

WFP3205WFP3205WFP3205WFP3205Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 110A,50V, R (Max 8m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical133nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

Другие MOSFET... WFP12N65 , WFP12N65S , WFP13N50 , WFP18N20 , WFP18N50 , WFP2N60 , WFP2N60B , WFP3205 , AO3400 , WFP4N60 , WFP50N06 , WFP50N06C , WFP5N50 , WFP5N60 , WFP5N60B , WFP5N80 , WFP630 .

History: P5102FM6 | IXFH15N80Q

 

 
Back to Top

 


 
.