WFP3205T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP3205T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 109 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP3205T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP3205T даташит

 ..1. Size:1079K  winsemi
 wfp3205t.pdf pdf_icon

WFP3205T

WFP3205T WFP3205T WFP3205T WFP3205T Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 109A,60V, R (Max 8m )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced

 7.1. Size:878K  winsemi
 wfp3205.pdf pdf_icon

WFP3205T

WFP3205 WFP3205 WFP3205 WFP3205 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 110A,50V, R (Max 8m )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical133nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi

Другие IGBT... WFP12N65, WFP12N65S, WFP13N50, WFP18N20, WFP18N50, WFP2N60, WFP2N60B, WFP3205, AO3401, WFP4N60, WFP50N06, WFP50N06C, WFP5N50, WFP5N60, WFP5N60B, WFP5N80, WFP630