Справочник MOSFET. WFP70N06T

 

WFP70N06T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WFP70N06T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для WFP70N06T

 

 

WFP70N06T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  winsemi
 wfp70n06t.pdf

WFP70N06T WFP70N06T

WFP70N06TWFP70N06TWFP70N06TWFP70N06TSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 68A,60V, R (Max18m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 20nC) Improved dv/dt capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThis Power MOSFET is produ

 6.1. Size:508K  winsemi
 wfp70n06.pdf

WFP70N06T WFP70N06T

WFP70N06WFP70N06WFP70N06WFP70N06Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 70A,60V, RDS(on)(Max0.014)@VGS=10V Ultra-low Gate charge(Typical 70nC) Low Crss (Typical 160pF) Improved dv/dt capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top