WFP70N06T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP70N06T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP70N06T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP70N06T даташит

 ..1. Size:603K  winsemi
 wfp70n06t.pdf pdf_icon

WFP70N06T

WFP70N06T WFP70N06T WFP70N06T WFP70N06T Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 68A,60V, R (Max18m )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 20nC) Improved dv/dt capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175 ) General Description This Power MOSFET is produ

 6.1. Size:508K  winsemi
 wfp70n06.pdf pdf_icon

WFP70N06T

WFP70N06 WFP70N06 WFP70N06 WFP70N06 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 70A,60V, RDS(on)(Max0.014 )@VGS=10V Ultra-low Gate charge(Typical 70nC) Low Crss (Typical 160pF) Improved dv/dt capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175 ) General Description Thi

Другие IGBT... WFP5N60, WFP5N60B, WFP5N80, WFP630, WFP634, WFP640, WFP650, WFP70N06, AON6380, WFP730, WFP740, WFP7N60, WFP830, WFP830B, WFP840, WFP840B, WFP8N60