PMDPB70XP - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

PMDPB70XP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMDPB70XP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.087 Ohm

Тип корпуса: HUSON6

Аналог (замена) для PMDPB70XP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

PMDPB70XP даташит

..1. Size:839K nxp
pmdpb70xp.pdf pdf_icon

PMDPB70XP 30 V, dual P-channel Trench MOSFET Rev. 1 9 March 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin SOT1118 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching Small and leadless

0.1. Size:817K nxp
pmdpb70xpe.pdf pdf_icon

PMDPB70XPE 20 V dual P-channel Trench MOSFET Rev. 1 20 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching 2

7.1. Size:842K nxp
pmdpb70en.pdf pdf_icon

PMDPB70EN 30 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 25 April 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching Small

9.1. Size:879K nxp
pmdpb55xp.pdf pdf_icon

PMDPB55XP 20 V, dual P-channel Trench MOSFET Rev. 3 4 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching Small an