Справочник MOSFET. PMDPB80XP

 

PMDPB80XP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMDPB80XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.485 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.102 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMDPB80XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:894K  nxp
 pmdpb80xp.pdf pdf_icon

PMDPB80XP

PMDPB80XP20 V, dual P-channel Trench MOSFETRev. 1 30 May 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated for low voltag

 8.1. Size:873K  nxp
 pmdpb85upe.pdf pdf_icon

PMDPB80XP

PMDPB85UPE20 V dual P-channel Trench MOSFETRev. 1 20 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage

 9.1. Size:879K  nxp
 pmdpb55xp.pdf pdf_icon

PMDPB80XP

PMDPB55XP20 V, dual P-channel Trench MOSFETRev. 3 4 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Small an

 9.2. Size:200K  nxp
 pmdpb95xne.pdf pdf_icon

PMDPB80XP

PMDPB95XNE30 V dual N-channel Trench MOSFET26 September 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless mediumpower DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technolo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IXFV74N20P | 12N65KL-TF1-T | PDC8974X | RDD022N50 | IRFP3006 | 2SK4058-ZK-E1-AY | SIHFD210

 

 
Back to Top

 


 
.