PMF87EN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMF87EN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.275 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SC-70
Аналог (замена) для PMF87EN
PMF87EN Datasheet (PDF)
pmf87en.pdf

PMF87EN30 V, single N-channel Trench MOSFET1 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) smallSurface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology
Другие MOSFET... PMDT290UNE , PMDT670UPE , PMDXB1200UPE , PMDXB550UNE , PMDXB600UNE , PMDXB950UPE , PMF63UN , PMF77XN , IRFB4110 , PMFPB8032XP , PMFPB8040XP , PMG45UN , PMGD130UN , PMGD175XN , PMGD290UCEA , PMN22XN , PMN27XPE .
History: SQ4961EY
History: SQ4961EY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet