PMF87EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMF87EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.275 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SC-70

Аналог (замена) для PMF87EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF87EN даташит

 ..1. Size:197K  nxp
 pmf87en.pdf pdf_icon

PMF87EN

PMF87EN 30 V, single N-channel Trench MOSFET 1 August 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology

Другие IGBT... PMDT290UNE, PMDT670UPE, PMDXB1200UPE, PMDXB550UNE, PMDXB600UNE, PMDXB950UPE, PMF63UN, PMF77XN, IRLZ44N, PMFPB8032XP, PMFPB8040XP, PMG45UN, PMGD130UN, PMGD175XN, PMGD290UCEA, PMN22XN, PMN27XPE