Справочник MOSFET. PMFPB8032XP

 

PMFPB8032XP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMFPB8032XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.485 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.102 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6
 

 Аналог (замена) для PMFPB8032XP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMFPB8032XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  nxp
 pmfpb8032xp.pdf pdf_icon

PMFPB8032XP

PMFPB8032XP20 V, 3.7 A / 320 mV VF P-channel MOSFET-Schottkycombination21 December 2012 Product data sheet1. General descriptionSmall-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using TrenchMOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA)Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118)Surface-Mount

 7.1. Size:280K  nxp
 pmfpb8040xp.pdf pdf_icon

PMFPB8032XP

PMFPB8040XP20 V, 3.7 A / 440 mV VF P-channel MOSFET-Schottkycombination21 December 2012 Product data sheet1. General descriptionSmall-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using TrenchMOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA)Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118)Surface-Mount

 9.1. Size:255K  nxp
 pmfpb6532up.pdf pdf_icon

PMFPB8032XP

PMFPB6532UP20 V, 3.5 A / 320 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combinationRev. 2 1 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionSmall-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using Trench MOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin DFN2

 9.2. Size:257K  nxp
 pmfpb6545up.pdf pdf_icon

PMFPB8032XP

PMFPB6545UP20 V, 3.5 A / 440 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combinationRev. 2 4 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionSmall-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using Trench MOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin DFN2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMDT670UPE , PMDXB1200UPE , PMDXB550UNE , PMDXB600UNE , PMDXB950UPE , PMF63UN , PMF77XN , PMF87EN , IRF640N , PMFPB8040XP , PMG45UN , PMGD130UN , PMGD175XN , PMGD290UCEA , PMN22XN , PMN27XPE , PMN27XPEA .

History: TPC60R150C | BRCS065N08SHRA | HUFA75337G3

 

 
Back to Top

 


 
.