PMFPB8032XP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMFPB8032XP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.485 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.102 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6

Аналог (замена) для PMFPB8032XP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMFPB8032XP даташит

 ..1. Size:277K  nxp
 pmfpb8032xp.pdf pdf_icon

PMFPB8032XP

PMFPB8032XP 20 V, 3.7 A / 320 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combination 21 December 2012 Product data sheet 1. General description Small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using Trench MOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mount

 7.1. Size:280K  nxp
 pmfpb8040xp.pdf pdf_icon

PMFPB8032XP

PMFPB8040XP 20 V, 3.7 A / 440 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combination 21 December 2012 Product data sheet 1. General description Small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using Trench MOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mount

 9.1. Size:255K  nxp
 pmfpb6532up.pdf pdf_icon

PMFPB8032XP

PMFPB6532UP 20 V, 3.5 A / 320 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combination Rev. 2 1 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using Trench MOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin DFN2

 9.2. Size:257K  nxp
 pmfpb6545up.pdf pdf_icon

PMFPB8032XP

PMFPB6545UP 20 V, 3.5 A / 440 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combination Rev. 2 4 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using Trench MOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin DFN2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMDT670UPE, PMDXB1200UPE, PMDXB550UNE, PMDXB600UNE, PMDXB950UPE, PMF63UN, PMF77XN, PMF87EN, IRFB4110, PMFPB8040XP, PMG45UN, PMGD130UN, PMGD175XN, PMGD290UCEA, PMN22XN, PMN27XPE, PMN27XPEA