Справочник MOSFET. PMN40UPEA

 

PMN40UPEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN40UPEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 207 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN40UPEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN40UPEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  nxp
 pmn40upea.pdf pdf_icon

PMN40UPEA

PMN40UPEA20 V, single P-channel Trench MOSFET19 June 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Fast switching Trench MOSFET technology 4 kV ESD protection

 6.1. Size:199K  nxp
 pmn40upe.pdf pdf_icon

PMN40UPEA

PMN40UPE20 V, single P-channel Trench MOSFET13 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Fast switching Trench MOSFET technology

 9.1. Size:722K  nxp
 pmn40ene.pdf pdf_icon

PMN40UPEA

PMN40ENE30 V, N-channel Trench MOSFET24 May 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching Enhanced power dissipatio

 9.2. Size:301K  nxp
 pmn40ena.pdf pdf_icon

PMN40UPEA

PMN40ENA60 V, N-channel Trench MOSFET11 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology AE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMG45UN , PMGD130UN , PMGD175XN , PMGD290UCEA , PMN22XN , PMN27XPE , PMN27XPEA , PMN40UPE , IRFB4115 , PMN42XPE , PMN42XPEA , PMN50UPE , PMN50XP , PMN70XPE , PMN70XPEA , PMN80XP , PMPB10XNE .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.