Справочник MOSFET. PMN40UPEA

 

PMN40UPEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN40UPEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 207 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN40UPEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  nxp
pmn40upea.pdfpdf_icon

PMN40UPEA

PMN40UPEA20 V, single P-channel Trench MOSFET19 June 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Fast switching Trench MOSFET technology 4 kV ESD protection

 6.1. Size:199K  nxp
pmn40upe.pdfpdf_icon

PMN40UPEA

PMN40UPE20 V, single P-channel Trench MOSFET13 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Fast switching Trench MOSFET technology

 9.1. Size:722K  nxp
pmn40ene.pdfpdf_icon

PMN40UPEA

PMN40ENE30 V, N-channel Trench MOSFET24 May 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching Enhanced power dissipatio

 9.2. Size:301K  nxp
pmn40ena.pdfpdf_icon

PMN40UPEA

PMN40ENA60 V, N-channel Trench MOSFET11 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology AE

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HSS2319 | SIHG47N60S | APT10M19SVFRG | 9N95 | LNE07R085H | ST3421SRG | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.