PMN42XPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN42XPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 207 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN42XPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN42XPE даташит

 ..1. Size:199K  nxp
 pmn42xpe.pdf pdf_icon

PMN42XPE

PMN42XPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET 14 August 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection 1.3 A

 0.1. Size:266K  nxp
 pmn42xpea.pdf pdf_icon

PMN42XPE

PMN42XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 21 March 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection AEC-Q101 qualified 3. Applica

Другие IGBT... PMGD130UN, PMGD175XN, PMGD290UCEA, PMN22XN, PMN27XPE, PMN27XPEA, PMN40UPE, PMN40UPEA, 8205A, PMN42XPEA, PMN50UPE, PMN50XP, PMN70XPE, PMN70XPEA, PMN80XP, PMPB10XNE, PMPB11EN