Справочник MOSFET. PMPB15XN

 

PMPB15XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMPB15XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020MD-6
 

 Аналог (замена) для PMPB15XN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB15XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  nxp
pmpb15xn.pdfpdf_icon

PMPB15XN

PMPB15XN20 V, single N-channel Trench MOSFET13 September 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless

 7.1. Size:298K  nxp
pmpb15xpa.pdfpdf_icon

PMPB15XN

PMPB15XPA12 V, P-channel Trench MOSFET27 March 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks for

 7.2. Size:252K  nxp
pmpb15xp.pdfpdf_icon

PMPB15XN

PMPB15XP12 V, single P-channel Trench MOSFET22 November 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.5 kV ESD protection (human body model) Tren

 9.1. Size:321K  nxp
pmpb100xpea.pdfpdf_icon

PMPB15XN

PMPB100XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET13 November 2019 Product data sheet1. General DescriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin S

Другие MOSFET... PMN50XP , PMN70XPE , PMN70XPEA , PMN80XP , PMPB10XNE , PMPB11EN , PMPB12UN , PMPB13XNE , 5N60 , PMPB15XP , PMPB16XN , PMPB19XP , PMPB20EN , PMPB20UN , PMPB20XPE , PMPB215ENEA , PMPB23XNE .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.