Справочник MOSFET. PMPB20XPE

 

PMPB20XPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMPB20XPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0235 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020MD-6
 

 Аналог (замена) для PMPB20XPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB20XPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  nxp
 pmpb20xpe.pdf pdf_icon

PMPB20XPE

PMPB20XPE20 V, single P-channel Trench MOSFET30 November 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 2.4 kV ESD protected Small and leadless ultr

 0.1. Size:295K  nxp
 pmpb20xpea.pdf pdf_icon

PMPB20XPE

PMPB20XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET27 March 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

 7.1. Size:732K  nxp
 pmpb20xnea.pdf pdf_icon

PMPB20XPE

PMPB20XNEA20 V, N-channel Trench MOSFET22 February 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology

 8.1. Size:268K  nxp
 pmpb20en.pdf pdf_icon

PMPB20XPE

PMPB20EN30 V N-channel Trench MOSFET14 January 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Small and leadless ultra t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMPB12UN , PMPB13XNE , PMPB15XN , PMPB15XP , PMPB16XN , PMPB19XP , PMPB20EN , PMPB20UN , IRF9540N , PMPB215ENEA , PMPB23XNE , PMPB27EP , PMPB29XNE , PMPB29XPE , PMPB33XN , PMPB33XP , PMPB40SNA .

History: IPD100N04S4-02 | SIE860DF | PMPB33XN

 

 
Back to Top

 


 
.