Справочник MOSFET. PMPB27EP

 

PMPB27EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMPB27EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020MD-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB27EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  nxp
 pmpb27ep.pdf pdf_icon

PMPB27EP

PMPB27EP30 V, single P-channel Trench MOSFET10 September 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless

 0.1. Size:291K  nxp
 pmpb27epa.pdf pdf_icon

PMPB27EP

PMPB27EPA30 V, P-channel Trench MOSFET27 March 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Side wettable flanks for optical solder inspection

 9.1. Size:247K  nxp
 pmpb23xne.pdf pdf_icon

PMPB27EP

PMPB23XNE20 V, single N-channel Trench MOSFET30 November 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 2.1 kV ESD protection Small and leadless ult

 9.2. Size:732K  nxp
 pmpb20xnea.pdf pdf_icon

PMPB27EP

PMPB20XNEA20 V, N-channel Trench MOSFET22 February 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: RRF015P03 | KSP92 | 10N65KL-TF1-T | KHB2D0N60F2 | CHM4201PAGP | STD30N10F7 | SRC65R024B

 

 
Back to Top

 


 
.