Справочник MOSFET. PMZB200UNE

 

PMZB200UNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZB200UNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006B-3
 

 Аналог (замена) для PMZB200UNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB200UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  nxp
 pmzb200une.pdf pdf_icon

PMZB200UNE

PMZB200UNE30 V, N-channel Trench MOSFET12 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology

 9.1. Size:832K  nxp
 pmzb290un.pdf pdf_icon

PMZB200UNE

PMZB290UN20 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 11 May 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Fast switching Low threshold voltage

 9.2. Size:953K  nxp
 pmzb290une.pdf pdf_icon

PMZB200UNE

PMZB290UNE20 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 3 23 March 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection u

 9.3. Size:712K  nxp
 pmzb290une2.pdf pdf_icon

PMZB200UNE

PMZB290UNE220 V, N-channel Trench MOSFET24 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMZ350UPE , PMZ370UNE , PMZ390UNE , PMZ550UNE , PMZ600UNE , PMZ950UPE , PMZB1200UPE , PMZB150UNE , IRFP064N , PMZB290UN , PMZB290UNE , PMZB290UNE2 , PMZB300XN , PMZB320UPE , PMZB350UPE , PMZB370UNE , PMZB380XN .

 

 
Back to Top

 


 
.