Справочник MOSFET. PMZB350UPE

 

PMZB350UPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZB350UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006B-3
 

 Аналог (замена) для PMZB350UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB350UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  nxp
 pmzb350upe.pdf pdf_icon

PMZB350UPE

PMZB350UPE20 V, single P-channel Trench MOSFET1 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching T

 9.1. Size:220K  nxp
 pmzb320upe.pdf pdf_icon

PMZB350UPE

PMZB320UPE30 V, P-channel Trench MOSFET24 March 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching

 9.2. Size:968K  nxp
 pmzb370une.pdf pdf_icon

PMZB350UPE

PMZB370UNE30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 8 May 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Ultra thin package

 9.3. Size:215K  nxp
 pmzb390une.pdf pdf_icon

PMZB350UPE

PMZB390UNE30 V, N-channel Trench MOSFET12 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMZB1200UPE , PMZB150UNE , PMZB200UNE , PMZB290UN , PMZB290UNE , PMZB290UNE2 , PMZB300XN , PMZB320UPE , 20N60 , PMZB370UNE , PMZB380XN , PMZB390UNE , PMZB420UN , PMZB550UNE , PMZB600UNE , PMZB670UPE , PMZB790SN .

History: CHM634PAGP | NVMFS5A140PLZ | ZXMN6A07F

 

 
Back to Top

 


 
.