Справочник MOSFET. PMZB350UPE

 

PMZB350UPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZB350UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006B-3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB350UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  nxp
 pmzb350upe.pdf pdf_icon

PMZB350UPE

PMZB350UPE20 V, single P-channel Trench MOSFET1 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching T

 9.1. Size:220K  nxp
 pmzb320upe.pdf pdf_icon

PMZB350UPE

PMZB320UPE30 V, P-channel Trench MOSFET24 March 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching

 9.2. Size:968K  nxp
 pmzb370une.pdf pdf_icon

PMZB350UPE

PMZB370UNE30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 8 May 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Ultra thin package

 9.3. Size:215K  nxp
 pmzb390une.pdf pdf_icon

PMZB350UPE

PMZB390UNE30 V, N-channel Trench MOSFET12 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.