Справочник MOSFET. PNMTOF600V2

 

PNMTOF600V2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNMTOF600V2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   trⓘ - Время нарастания: 14.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMTOF600V2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  prisemi
 pnmto600v2 pnmtof600v2.pdf pdf_icon

PNMTOF600V2

PNMTO600V2 PNMTOF600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Dra

 4.1. Size:119K  prisemi
 pnmto600v4 pnmtof600v4.pdf pdf_icon

PNMTOF600V2

PNMTO600V4 PNMTOF600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Dra

 4.2. Size:124K  prisemi
 pnmto600v7 pnmtof600v7.pdf pdf_icon

PNMTOF600V2

PNMTO600V7 PNMTOF600V7 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 1.1@ VGS=10V 7.0G1 S3Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 600 VGate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Curre

 4.3. Size:124K  prisemi
 pnmto600v8 pnmtof600v8.pdf pdf_icon

PNMTOF600V2

PNMTO600V8 PNMTOF600V8 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 0.98@ VGS=10V 8.0G1 S3Absolute maximum rating@25 PNMTO6 PNMTOFRating Symbol Units 00V8 600V8 Drain-Source Voltage VDS 600 VGate-Source Voltage VGS 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: PMDT670UPE | JCS5N50CT | NCE01H21T | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005

 

 
Back to Top

 


 
.