Справочник MOSFET. PNMTOF600V4

 

PNMTOF600V4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNMTOF600V4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 28.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PNMTOF600V4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMTOF600V4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  prisemi
 pnmto600v4 pnmtof600v4.pdf pdf_icon

PNMTOF600V4

PNMTO600V4 PNMTOF600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Dra

 4.1. Size:124K  prisemi
 pnmto600v7 pnmtof600v7.pdf pdf_icon

PNMTOF600V4

PNMTO600V7 PNMTOF600V7 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 1.1@ VGS=10V 7.0G1 S3Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 600 VGate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Curre

 4.2. Size:119K  prisemi
 pnmto600v2 pnmtof600v2.pdf pdf_icon

PNMTOF600V4

PNMTO600V2 PNMTOF600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Dra

 4.3. Size:124K  prisemi
 pnmto600v8 pnmtof600v8.pdf pdf_icon

PNMTOF600V4

PNMTO600V8 PNMTOF600V8 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 0.98@ VGS=10V 8.0G1 S3Absolute maximum rating@25 PNMTO6 PNMTOFRating Symbol Units 00V8 600V8 Drain-Source Voltage VDS 600 VGate-Source Voltage VGS 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PNMT60V02E , PNMT60V3 , PNMTO600V2 , PNMTO600V4 , PNMTO600V5 , PNMTO600V7 , PNMTO600V8 , PNMTOF600V2 , 4435 , PNMTOF600V5 , PNMTOF600V7 , PNMTOF600V8 , PNMTOF650V13 , PNMUT20V06 , PNMVT20V03E , PPF240M , PPM3T20V6 .

History: NTD65N03R

 

 
Back to Top

 


 
.