PNMTOF600V5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNMTOF600V5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для PNMTOF600V5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMTOF600V5 даташит

 ..1. Size:123K  prisemi
 pnmto600v5 pnmtof600v5.pdf pdf_icon

PNMTOF600V5

PNMTO600V5 PNMTOF600V5 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.44@ VGS=10V 5.0 G 1 S 3 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC=25 ID 3.2 A Co

 4.1. Size:119K  prisemi
 pnmto600v4 pnmtof600v4.pdf pdf_icon

PNMTOF600V5

PNMTO600V4 PNMTOF600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Dra

 4.2. Size:124K  prisemi
 pnmto600v7 pnmtof600v7.pdf pdf_icon

PNMTOF600V5

PNMTO600V7 PNMTOF600V7 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.1@ VGS=10V 7.0 G 1 S 3 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Curre

 4.3. Size:119K  prisemi
 pnmto600v2 pnmtof600v2.pdf pdf_icon

PNMTOF600V5

PNMTO600V2 PNMTOF600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Dra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PNMT60V3, PNMTO600V2, PNMTO600V4, PNMTO600V5, PNMTO600V7, PNMTO600V8, PNMTOF600V2, PNMTOF600V4, IRF1010E, PNMTOF600V7, PNMTOF600V8, PNMTOF650V13, PNMUT20V06, PNMVT20V03E, PPF240M, PPM3T20V6, PPM523T201E0