PS06N20DA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PS06N20DA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: SOT-23-6
PS06N20DA Datasheet (PDF)
ps06n20da.pdf
PS06N20DA 20V Dual Channel NMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS06N20DA 20V Dual Channel NMOSFET 2. Applications 1. General Description Battery managementThe PS06N20DA uses advanced trench Power managementtechnology and design to provide excellent Rds(on) DC-DC converterwith low gate charge. This device is suitable
ps06n20dea.pdf
PS06N20DEA 20V Dual Channel NMOSEFT with 3KV ESD Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS06N20DEA 20V Dual Channel NMOSFET with 3KV ESD 2. Applications 1. General Description Battery managementThe PS06N20DEA uses advanced trench Power managementtechnology and design to provide excellent Rds(on) DC-DC converterwith low gate cha
ipd06n03la ipf06n03la ips06n03la ipu06n03la.pdf
IPD06N03LA IPF06N03LAIPS06N03LA IPU06N03LAOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD version) 5.7mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationI 50 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 175 C
ps06n30sa.pdf
PS06N30SA 30V Single Channel NMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS06N30SA 30V Single Channel NMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applicationsThe PS06N30SA uses advanced trench technology Load switchand design to provide excellent Rds(on) with low Power managementgate charge. This device is suitable fo
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918