Справочник MOSFET. KP101E

 

KP101E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KP101E
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.05 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 10 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.005 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1000 Ohm
   Тип корпуса: TO5
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KP101E Datasheet (PDF)

 9.1. Size:746K  russia
kp101g-d-e 2p101a-b-v.pdfpdf_icon

KP101E

Другие MOSFET... JANSR2N7404 , JANSR2N7405 , JANSR2N7406 , JANSR2N7410 , JANSR2N7411 , KF907 , KF910 , KP101D , IRF1407 , KP101G , KP103E , KP103I , KP103J , KP103K , KP103L , KP103M , LS3954 .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.