Справочник MOSFET. KP101E

 

KP101E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KP101E
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.05 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 10 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.005 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1000 Ohm
   Тип корпуса: TO5
 

 Аналог (замена) для KP101E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KP101E Datasheet (PDF)

 9.1. Size:746K  russia
kp101g-d-e 2p101a-b-v.pdfpdf_icon

KP101E

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDS8958AF085 | FDP22N50N | FDME1023PZT

 

 
Back to Top

 


 
.