Справочник MOSFET. KP101G

 

KP101G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KP101G
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.05 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 10 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.002 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2000 Ohm
   Тип корпуса: TO5
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KP101G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:746K  russia
kp101g-d-e 2p101a-b-v.pdfpdf_icon

KP101G

Другие MOSFET... JANSR2N7405 , JANSR2N7406 , JANSR2N7410 , JANSR2N7411 , KF907 , KF910 , KP101D , KP101E , RFP50N06 , KP103E , KP103I , KP103J , KP103K , KP103L , KP103M , LS3954 , LS3954A .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.