Справочник MOSFET. WTX1013

 

WTX1013 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WTX1013
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SC89
 

 Аналог (замена) для WTX1013

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WTX1013 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  wietron
 wtx1013.pdf pdf_icon

WTX1013

WTX1013P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETP b Lead(Pb)-Free3FEATURES:12* TrenchFET@ Power MOSFET: 1.8-V Rated* Gate-Source ESD Protected: 2000V* High-Side SwitchingSC-89* Low On-Resistance: 1.2* Low Threshold: 0.8 V (typ)Drain* Fast Switching Speed: 14 ns* S-Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Qualified and PPAP CapableBENEFITS:* Ease in Drivi

 8.1. Size:769K  wietron
 wtx1012.pdf pdf_icon

WTX1013

WTX1012N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET3P b Lead(Pb)-Free12FEATURES:SC-89* Power Mosfet : 1.8V Rated* Gate-Source ESD Protected: 2000 V* High-Side SwitchingDrain* Low On-Resistance: 0.73* Low Threshold: 0.8 V (typ)* Fast Switching Speed: 10 nsBENEFITS:* Ease in Driving Switches* Low-Voltage Operation1 (Top View) 2* High-Speed Circuits* Low Ba

Другие MOSFET... PSMN013-100XS , PSMN013-100YSE , PSMN013-30MLC , PSMN015-60BS , PSMN016-100BS , WPH4003 , WT3139K , WTC3401 , IRFB4110 , WVM11N80 , WVM12N10 , WVM13N50 , WVM15N20 , WVM15N40 , WVM15N45 , WVM15N50 , WVM15N60 .

History: IRF7703G | SSI3N90A

 

 
Back to Top

 


 
.