WTX1013 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WTX1013
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: SC89
WTX1013 Datasheet (PDF)
wtx1013.pdf
WTX1013P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETP b Lead(Pb)-Free3FEATURES:12* TrenchFET@ Power MOSFET: 1.8-V Rated* Gate-Source ESD Protected: 2000V* High-Side SwitchingSC-89* Low On-Resistance: 1.2* Low Threshold: 0.8 V (typ)Drain* Fast Switching Speed: 14 ns* S-Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Qualified and PPAP CapableBENEFITS:* Ease in Drivi
wtx1012.pdf
WTX1012N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET3P b Lead(Pb)-Free12FEATURES:SC-89* Power Mosfet : 1.8V Rated* Gate-Source ESD Protected: 2000 V* High-Side SwitchingDrain* Low On-Resistance: 0.73* Low Threshold: 0.8 V (typ)* Fast Switching Speed: 10 nsBENEFITS:* Ease in Driving Switches* Low-Voltage Operation1 (Top View) 2* High-Speed Circuits* Low Ba
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918