WTX1013 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WTX1013
Маркировка: B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.45 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: SC89
WTX1013 Datasheet (PDF)
wtx1013.pdf
WTX1013P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETP b Lead(Pb)-Free3FEATURES:12* TrenchFET@ Power MOSFET: 1.8-V Rated* Gate-Source ESD Protected: 2000V* High-Side SwitchingSC-89* Low On-Resistance: 1.2* Low Threshold: 0.8 V (typ)Drain* Fast Switching Speed: 14 ns* S-Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Qualified and PPAP CapableBENEFITS:* Ease in Drivi
wtx1012.pdf
WTX1012N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET3P b Lead(Pb)-Free12FEATURES:SC-89* Power Mosfet : 1.8V Rated* Gate-Source ESD Protected: 2000 V* High-Side SwitchingDrain* Low On-Resistance: 0.73* Low Threshold: 0.8 V (typ)* Fast Switching Speed: 10 nsBENEFITS:* Ease in Driving Switches* Low-Voltage Operation1 (Top View) 2* High-Speed Circuits* Low Ba
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100