XP162A11C0PR-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: XP162A11C0PR-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: SOT-89
Аналог (замена) для XP162A11C0PR-G
XP162A11C0PR-G Datasheet (PDF)
xp162a11c0pr-g.pdf

XP162A11C0PR-G ETR1125_003Power MOSFET GENERAL DESCRIPTION The XP162A11C0PR-G is a P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics. Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. A gate protect diode is built-in to prevent static damage. The small SOT-89 package makes high density
xp162a11.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETXP162A11SOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features VDS (V) =-30V ID =-2.5 A (VGS =-10V) RDS(ON) 150m (VGS =-10V) RDS(ON) 280m (VGS =-4.5V)0.42 0.10.46 0.11.Gate2.Drain3.SourceG D S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30V Gate-Source Voltage VGS 2
xp162a12a6pr-g.pdf

XP162A12A6PR-G ETR1126_003Power MOSFET GENERAL DESCRIPTION The XP162A12A6PR-G is a P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics.Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. A gate protect diode is built-in to prevent static damage. The small SOT-89 package makes high density
Другие MOSFET... XP151A12A2MR-G , XP151A13A0MR-G , XP152A11E5MR-G , XP152A12C0MR-G , XP161 , XP161A11A1PR-G , XP161A1265PR-G , XP161A1355PR-G , 5N65 , XP162A12A6PR-G , XP202A0003MR-G , XP202A0003PR-G , YTF830 , 2SK1029 , 2SK1197 , 2SK1297 , MMN400A006U1 .
History: NVD5802N | AP3987P | D12N06 | NP20P06YLG | GSM4516W | IRF522FI | SM6A22NSU
History: NVD5802N | AP3987P | D12N06 | NP20P06YLG | GSM4516W | IRF522FI | SM6A22NSU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554