Справочник MOSFET. XP162A11C0PR-G

 

XP162A11C0PR-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: XP162A11C0PR-G
   Маркировка: 211*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 30 ns
   Выходная емкость (Cd): 200 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89

 Аналог (замена) для XP162A11C0PR-G

 

 

XP162A11C0PR-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  torex
xp162a11c0pr-g.pdf

XP162A11C0PR-G
XP162A11C0PR-G

XP162A11C0PR-G ETR1125_003Power MOSFET GENERAL DESCRIPTION The XP162A11C0PR-G is a P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics. Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. A gate protect diode is built-in to prevent static damage. The small SOT-89 package makes high density

 6.1. Size:1138K  kexin
xp162a11.pdf

XP162A11C0PR-G
XP162A11C0PR-G

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETXP162A11SOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features VDS (V) =-30V ID =-2.5 A (VGS =-10V) RDS(ON) 150m (VGS =-10V) RDS(ON) 280m (VGS =-4.5V)0.42 0.10.46 0.11.Gate2.Drain3.SourceG D S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30V Gate-Source Voltage VGS 2

 7.1. Size:287K  torex
xp162a12a6pr-g.pdf

XP162A11C0PR-G
XP162A11C0PR-G

XP162A12A6PR-G ETR1126_003Power MOSFET GENERAL DESCRIPTION The XP162A12A6PR-G is a P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics.Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. A gate protect diode is built-in to prevent static damage. The small SOT-89 package makes high density

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top