HX3400A - описание и поиск аналогов

 

HX3400A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HX3400A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HX3400A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HX3400A даташит

 ..1. Size:183K  hx
hx3400a.pdfpdf_icon

HX3400A

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate Transistors HX3400AMOSFET(N-Channel) FEATURES TrenchFET Power MOSFET Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING A09T MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage 20 V VGS Gate-Source voltage 8 V ID Drain current 3.6 A PD Power Dissipation 1 W Tj Junction Temperature 150 Ts

 8.1. Size:155K  hx
hx3400.pdfpdf_icon

HX3400A

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate Transistors HX3400 MOSFET(N-Channel) FEATURES High Power and current handing capability Lead free product is acquired Surface Mout Package MARKING XORB MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage 30 V VGS Gate-Source voltage 12 V ID Drain current 5.8 A PD Power Dissipation 1.4 W

 9.1. Size:72K  hx
hx3401.pdfpdf_icon

HX3400A

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate Transistors HX3401MOSFET(P-Channel) FEATURES High Power and current handing capability Lead free product is acquired Surface Mount Package MARKING X18V MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage -30 V VGS Gate-Source voltage 12 V ID Drain current -4.2 A PD Power Dissipation 1.2

 9.2. Size:183K  hx
hx3401a.pdfpdf_icon

HX3400A

SOT-23-3Plastic-Encapsulate Transistors HX3401A MOSFET(P-Channel) FEATURES TrenchFET Power MOSFET MARKING A19T MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage -20 V VGS Gate-Source voltage 12 V -3 A ID Drain current PD Power Dissipation 1 W Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 ELECTRICAL CHA

Другие MOSFET... FTP03N06NA , ITP09N50A , HX2301 , HX2301A , HX2302 , HX2302A , HX2305 , HX3400 , IRFZ48N , HX3401 , HX3401A , HX3415 , HX3415A , HD2302 , HD2305 , HD2307 , HD2310 .

History: SML30J130

 

 

 

 

↑ Back to Top
.