HX3415A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HX3415A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для HX3415A
HX3415A Datasheet (PDF)
hx3415a.pdf
HX3415AP-Channel Enhancement Mode MOSFETDescription Schematic diagramThe HX3415 uses advanced trench technologyto provide excellent R , low gate charge andDS(ON)operation with gate voltages as low as 1.8V. Thisdevice is suitable for use as a load switch or in PWMapplications.General Features V =-20VI =-4ADS DR (Typ.)=42m @V =-2.5VDS(ON) GSR (Typ.)=38.3m @
hx3415.pdf
HX3415P-Channel Enhancement Mode MOSFETDescription Schematic diagramThe HX3415 uses advanced trench technologyto provide excellent R , low gate charge andDS(ON)operation with gate voltages as low as 1.8V. Thisdevice is suitable for use as a load switch or in PWMapplications.General Features V =-20VI =-4ADS DR (Typ.)=42m @V =-2.5VDS(ON) GSR (Typ.)=38.3m @V
Другие MOSFET... HX2302 , HX2302A , HX2305 , HX3400 , HX3400A , HX3401 , HX3401A , HX3415 , IRF9640 , HD2302 , HD2305 , HD2307 , HD2310 , HD2312 , SVD3205F , SVD3205S , SVD501DEAG .
History: TK28A65W | STE70NM50 | TMA10N65H
History: TK28A65W | STE70NM50 | TMA10N65H
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent



