SVD501DEAG - описание и поиск аналогов

SVD501DEAG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVD501DEAG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60.44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2.92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 700 Ohm

Тип корпуса: SOT23

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам