SVD50N06M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVD50N06M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 86.67 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 393.2 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: TO251D
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SVD50N06M Datasheet (PDF)
..1. Size:519K silan
svd50n06t svd50n06d svd50n06m svd50n06mj.pdf
svd50n06t svd50n06d svd50n06m svd50n06mj.pdf

SVD50N06T/D/M/MJ 50A60V N 2SVD50N06T/D/M/MJ N MOS VDMOS 113TO-252-2L3
Другие MOSFET... HD2307 , HD2310 , HD2312 , SVD3205F , SVD3205S , SVD501DEAG , SVD50N06T , SVD50N06D , IRFP064N , SVD50N06MJ , SVD540T , SVD540D , SVD540K , SVD640T , SVD640D , SVD640F , SVD9Z24NT .
History: IRF7607
History: IRF7607



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent