SVD50N06M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVD50N06M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 86.67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 393.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO251D

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVD50N06M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVD50N06M даташит

 ..1. Size:519K  silan
 svd50n06t svd50n06d svd50n06m svd50n06mj.pdf pdf_icon

SVD50N06M

SVD50N06T/D/M/MJ 50A 60V N 2 SVD50N06T/D/M/MJ N MOS VDMOS 1 1 3 TO-252-2L 3

 9.1. Size:410K  silan
 svd501deag.pdf pdf_icon

SVD50N06M

Другие IGBT... HD2307, HD2310, HD2312, SVD3205F, SVD3205S, SVD501DEAG, SVD50N06T, SVD50N06D, 2SK2842, SVD50N06MJ, SVD540T, SVD540D, SVD540K, SVD640T, SVD640D, SVD640F, SVD9Z24NT