SVD540D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVD540D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 44 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 247.3 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVD540D Datasheet (PDF)
svd540t svd540d svd540k.pdf

SVD540T/D/K SVD540 33A100V N SVD540T/D/K N MOS VDMOS
svd540t svd540dtr svd540k svd540f.pdf

SVD540T/D/K/F SVD540 33A100V N 2SVD540T/D/K/F N MOS VDMOS 13 1. 2
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: WMK023N08HGS | ZVN4206GTC | NDT6N70 | BUK9608-55 | 2SJ602-Z | IPD50R280CE | VBZE80N06
History: WMK023N08HGS | ZVN4206GTC | NDT6N70 | BUK9608-55 | 2SJ602-Z | IPD50R280CE | VBZE80N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111