Справочник MOSFET. SVDZ24NT

 

SVDZ24NT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVDZ24NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SVDZ24NT

 

 

SVDZ24NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  silan
svdz24nt.pdf

SVDZ24NT
SVDZ24NT

SVDZ24NT 17A55V N 2SVDZ24NT N MOS VDMOS 1

 ..2. Size:305K  silan
svdz24nt svdz24ndtr.pdf

SVDZ24NT
SVDZ24NT

SVDZ24NT(D) 17A55V N 2SVDZ24NT N MOS VDMOS 1

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: PHB33NQ20T

 

 
Back to Top