MNT-LB32N16-C4 - аналоги и даташиты транзистора

 

MNT-LB32N16-C4 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MNT-LB32N16-C4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 160 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SMARTC4
 

 Аналог (замена) для MNT-LB32N16-C4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MNT-LB32N16-C4 Datasheet (PDF)

 3.1. Size:20K  magnatec
 mnt-lb32n16 mnt-lb32n20.pdf pdf_icon

MNT-LB32N16-C4

MNT - LB32N16 MNT - LB32N20 MECHANICAL DATADimensions in mmSMARTPACK POWER MODULE24.010.5POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONSFEATURES N - CHANNEL POWER MOSFETS 4.25 HIGH SPEED SWITCHING SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGE (160V & 200V) HIGH ENERGY RATING43.5 ENHANCEMENT MODECASE 2 INTEGRAL PROTECTION DIODE P - CHANNEL AVAI

Другие MOSFET... LS3958 , MEM554 , MEM554C , MEM564C , MEM610 , MEM614 , MMBF170 , MNT-LB32N16 , IRF1407 , MNT-LB32N20 , MNT-LB32N20-C4 , MTB30N06VL , MTB30P06V , MTB35N06ZL , MTP10N10M , MTP3055E , MTP3055EFI .

History: 2SK1199 | WMM38N60C2 | 50N15 | IRFB5615 | WMM07N60C4 | WMN07N100C2 | IRFB59N10D

 

 
Back to Top

 


 
.