SVF12N60F - описание и поиск аналогов

 

SVF12N60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF12N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51.93 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SVF12N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF12N60F даташит

 ..1. Size:366K  silan
 svf12n60f svf12n60s svf12n60str svf12n60k.pdf pdf_icon

SVF12N60F

SVF12N60F/S/K 12A 600V N 2 SVF12N60F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2. 3

 ..2. Size:459K  silan
 svf12n60t svf12n60f svf12n60s svf12n60k.pdf pdf_icon

SVF12N60F

SVF12N60T/F/S/K 12A 600V N SVF12N60T/F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 6.1. Size:325K  silan
 svf12n60cf.pdf pdf_icon

SVF12N60F

 6.2. Size:329K  silan
 svf12n60cfj.pdf pdf_icon

SVF12N60F

SVF12N60CFJ 12A 600V N 2 SVF12N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVDZ24NT , SVF10N60T , SVF10N60F , SVF10N60S , SVF10N60K , SVF10N80F , SVF10N80K , SVF12N60T , IRFP260N , SVF12N60S , SVF12N60K , SVF12N65CF , SVF12N65CK , SVF12N65CS , SVF12N65CKL , SVF12N65CFQ , SVF13N50T .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.