SVF12N65CF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVF12N65CF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVF12N65CF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 46.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SVF12N65CF

SVF12N65CF Datasheet (PDF)

..1. Size:489K silan
svf12n65cf svf12n65ck svf12n65cs svf12n65ckl svf12n65cfq.pdf

SVF12N65CF/K/S/KL/FQ 12A650V N SVF12N65CF/K/S/KL/FQ N MOS F-CellTM VDMOS A

6.1. Size:586K 1
svf12n65f svf12n65t.pdf

SVF12N65T/F_Datasheet 12A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF12N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

6.2. Size:394K silan
svf12n65f svf12n65k svf12n65s svf12n65str.pdf