SVF13N50PN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF13N50PN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 218 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76.67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SVF13N50PN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF13N50PN даташит

 ..1. Size:447K  silan
 svf13n50t svf13n50f svf13n50pn.pdf pdf_icon

SVF13N50PN

 ..2. Size:414K  silan
 svf13n50f svf13n50t svf13n50pn svf13n50s svf13n50str.pdf pdf_icon

SVF13N50PN

 6.1. Size:321K  silan
 svf13n50cfj.pdf pdf_icon

SVF13N50PN

 6.2. Size:296K  silan
 svf13n50af.pdf pdf_icon

SVF13N50PN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF12N60K, SVF12N65CF, SVF12N65CK, SVF12N65CS, SVF12N65CKL, SVF12N65CFQ, SVF13N50T, SVF13N50F, 7N65, SVF14N65CFJ, SVF18N50F, SVF18N50T, SVF18N50PN, SVF18N50FJ, SVF18N65F, SVF18N65T, SVF18N65PN