SVF18N50PN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF18N50PN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 131.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для SVF18N50PN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF18N50PN даташит

 ..1. Size:663K  silan
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn svf18n50fj.pdfpdf_icon

SVF18N50PN

SVF18N50F/T/PN/FJ 18A 500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS

 ..2. Size:476K  silan
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn.pdfpdf_icon

SVF18N50PN

 8.1. Size:452K  silan
svf18n65efjh.pdfpdf_icon

SVF18N50PN

 8.2. Size:313K  silan
svf18ne50pn.pdfpdf_icon

SVF18N50PN

SVF18NE50PN 18A 500V N 2. SVF18NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

Другие IGBT... SVF12N65CKL, SVF12N65CFQ, SVF13N50T, SVF13N50F, SVF13N50PN, SVF14N65CFJ, SVF18N50F, SVF18N50T, AON7408, SVF18N50FJ, SVF18N65F, SVF18N65T, SVF18N65PN, SVF1N60AM, SVF1N60AMJ, SVF1N60AB, SVF1N60AD