Справочник MOSFET. SVF18N65F

 

SVF18N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF18N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90.87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 233.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVF18N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF18N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:634K  silan
svf18n65f svf18n65t svf18n65pn.pdfpdf_icon

SVF18N65F

SVF18N65F/T/PN 18A650V N SVF18N65F/T/PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 6.1. Size:452K  silan
svf18n65efjh.pdfpdf_icon

SVF18N65F

SVF18N65EFJH 18A, 650V N 2SVF18N65EFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 8.1. Size:663K  silan
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn svf18n50fj.pdfpdf_icon

SVF18N65F

SVF18N50F/T/PN/FJ 18A500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS

 8.2. Size:313K  silan
svf18ne50pn.pdfpdf_icon

SVF18N65F

SVF18NE50PN 18A500V N 2. SVF18NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

Другие MOSFET... SVF13N50T , SVF13N50F , SVF13N50PN , SVF14N65CFJ , SVF18N50F , SVF18N50T , SVF18N50PN , SVF18N50FJ , 12N60 , SVF18N65T , SVF18N65PN , SVF1N60AM , SVF1N60AMJ , SVF1N60AB , SVF1N60AD , SVF1N60AF , SVF1N60AH .

History: IPD60R210CFD7 | APT14M120B

 

 
Back to Top

 


 
.