Справочник MOSFET. SVF18N65F

 

SVF18N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF18N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 37.08 nC
   trⓘ - Время нарастания: 90.87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 233.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF18N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:634K  silan
svf18n65f svf18n65t svf18n65pn.pdfpdf_icon

SVF18N65F

SVF18N65F/T/PN 18A650V N SVF18N65F/T/PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 6.1. Size:452K  silan
svf18n65efjh.pdfpdf_icon

SVF18N65F

SVF18N65EFJH 18A, 650V N 2SVF18N65EFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 8.1. Size:663K  silan
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn svf18n50fj.pdfpdf_icon

SVF18N65F

SVF18N50F/T/PN/FJ 18A500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS

 8.2. Size:313K  silan
svf18ne50pn.pdfpdf_icon

SVF18N65F

SVF18NE50PN 18A500V N 2. SVF18NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS

 

 
Back to Top

 


 
.