SVF18N65T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF18N65T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 228 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 90.87 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 233.3 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO220
SVF18N65T Datasheet (PDF)
svf18n65f svf18n65t svf18n65pn.pdf
SVF18N65F/T/PN 18A650V N SVF18N65F/T/PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
svf18n65efjh.pdf
SVF18N65EFJH 18A, 650V N 2SVF18N65EFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn svf18n50fj.pdf
SVF18N50F/T/PN/FJ 18A500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn.pdf
SVF18N50F/T/PN 18A500V N 2SVF18N50F/T/PN NMOSF-CellTMVDMOS 1 3
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: TPCS8101 | TPU65R380C
History: TPCS8101 | TPU65R380C
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918