SVF18N65T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF18N65T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 228 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 37.08 nC
Время нарастания (tr): 90.87 ns
Выходная емкость (Cd): 233.3 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO220
SVF18N65T Datasheet (PDF)
..1. Size:634K silan
svf18n65f svf18n65t svf18n65pn.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svf18n65f svf18n65t svf18n65pn.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF18N65F/T/PN 18A650V N SVF18N65F/T/PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
6.1. Size:452K silan
svf18n65efjh.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svf18n65efjh.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF18N65EFJH 18A, 650V N 2SVF18N65EFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
8.1. Size:663K silan
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn svf18n50fj.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn svf18n50fj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF18N50F/T/PN/FJ 18A500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS
8.3. Size:476K silan
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF18N50F/T/PN 18A500V N 2SVF18N50F/T/PN NMOSF-CellTMVDMOS 1 3
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .