MTB30N06VL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTB30N06VL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 1130 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для MTB30N06VL
MTB30N06VL Datasheet (PDF)
mtb30n06vl.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB30N06VL/DDesigner's Data SheetMTB30N06VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 30 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresistanceRDS(on) = 0.050 OHMarea product abou
mtb30n06vlrev4.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB30N06VL/DDesigner's Data SheetMTB30N06VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 30 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresistanceRDS(on) = 0.050 OHMarea product abou
mtb30n06v8.pdf
Spec. No. : C699V8 Issued Date : 2012.03.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.03.26 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB30N06V8 ID 6.8AVGS=10V, ID=6.8A 24m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=4A 28m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline
mtb30n06j3.pdf
Spec. No. : C699J3 Issued Date : 2012.05.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB30N06J3 ID 22ARDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 27m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 31m(typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compli
mtb30n06q8.pdf
Spec. No. : C699Q8 Issued Date : 2013.04.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB30N06Q8 ID 8A25m VGS=10V, ID=6.8A RDSON(TYP) 28m VGS=4.5V, ID=4A Description The MTB30N06Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switchi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F