SVF1N60M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF1N60M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3.45 nC
Время нарастания (tr): 13.27 ns
Выходная емкость (Cd): 19 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 11 Ohm
Тип корпуса: TO251
SVF1N60M Datasheet (PDF)
..1. Size:606K silan
svf1n60m svf1n60mj svf1n60n svf1n60b svf1n60d.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svf1n60m svf1n60mj svf1n60n svf1n60b svf1n60d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF1N60M/MJ/N/B/D 1A600V N 21SVF1N60M/MJ/N/B/D N MOS 3TO-252-2L F-CellTM VDMOS 1132
7.1. Size:522K silan
svf1n60am svf1n60amj svf1n60ab svf1n60ad svf1n60af svf1n60ah.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svf1n60am svf1n60amj svf1n60ab svf1n60ad svf1n60af svf1n60ah.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H 1A600V N 2123SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N MOS TO-251D-3L F-CellTM VDMOS 11323
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .