Справочник MOSFET. SVF1N60D

 

SVF1N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF1N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVF1N60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF1N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  silan
 svf1n60m svf1n60mj svf1n60n svf1n60b svf1n60d.pdf pdf_icon

SVF1N60D

SVF1N60M/MJ/N/B/D 1A600V N 21SVF1N60M/MJ/N/B/D N MOS 3TO-252-2L F-CellTM VDMOS 1132

 7.1. Size:522K  silan
 svf1n60am svf1n60amj svf1n60ab svf1n60ad svf1n60af svf1n60ah.pdf pdf_icon

SVF1N60D

SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H 1A600V N 2123SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N MOS TO-251D-3L F-CellTM VDMOS 11323

Другие MOSFET... SVF1N60AB , SVF1N60AD , SVF1N60AF , SVF1N60AH , SVF1N60M , SVF1N60MJ , SVF1N60N , SVF1N60B , RFP50N06 , SVF20N60F , SVF20N60PN , SVF23N50PN , SVF2N60CN , SVF2N60CNF , SVF2N60CM , SVF2N60CMJ , SVF2N60CF .

History: MP10N60EIC | YTF153 | TT8K1 | 2SK3517-01 | HSU0018A | MPSH60M160 | AP9561AGH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.