Справочник MOSFET. SVF2N60CN

 

SVF2N60CN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF2N60CN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO126
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N60CN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  silan
svf2n60cn svf2n60cm svf2n60cf.pdfpdf_icon

SVF2N60CN

SVF2N60CN/M/F 2A600V N 2SVF2N60CN/M/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2. 3

 ..2. Size:434K  silan
svf2n60cn svf2n60cnf svf2n60cm svf2n60cmj svf2n60cf svf2n60cd.pdfpdf_icon

SVF2N60CN

SVF2N60CN/NF/M/MJ/F/D 2A600V N 2SVF2N60CN/NF/M/MJ/F/D N MOS 13 F-CellTM VDMOS TO-252-2L13

 7.1. Size:692K  silan
svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdfpdf_icon

SVF2N60CN

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L

 7.2. Size:362K  silan
svf2n60nf svf2n60f.pdfpdf_icon

SVF2N60CN

SVF2N60NF(F) 2A600V N 2SVF2N60NF(F) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SWD4N50K | TK20D60U | IPD50R280CE | TP2301PR | 2SK3081 | NDT6N70 | AP85T03GJ

 

 
Back to Top

 


 
.